В д647 куда подходят
Наименование производителя: BD647
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
BD647 Datasheet (PDF)
BD645, BD647, BD649, BD651NPN SILICON POWER DARLINGTONSCopyright 1997, Power Innovations Limited, UK MAY 1993 — REVISED MARCH 1997 Designed for Complementary Use with BD646, BD648, BD650 and BD652TO-220 PACKAGE(TOP VIEW) 62.5 W at 25C Case Temperature 8 A Continuous Collector CurrentB 1C 2 Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 AE 3Pin 2 is in electrical contact with the mo
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD647DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 3AFE CLow Saturation VoltageComplement to Type BD648Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputst
SEMICONDUCTORSBD643/645/647/649/651 SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. PNP complements are BD644, BD646, BD648, BD650 and BD652 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD647FDESCRIPTIONHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD648FMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM
Datasheet BD647 — Semelab Даташит Составной транзистор Дарлингтона, TO-220 — Даташит
Купить BD647 на РадиоЛоцман.Цены — от 225 до 4 824 ₽
Подробное описание
Производитель: Semelab
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, TO-220
Краткое содержание документа:
Yffiffi
8D645; 647 BD6a9; 651 SILICONDARLINGTON POWERTRANSISTORS
in N-P-Nepitaxialbasetransistors monolithic Darlington circuit for audiooutput stages and general and switching applications;f plastic amplifier O-22O P-N-P envelope.
complements BD646,8D648, are 8 D 6 5 0a n d 8 D 6 5 2 . O U I C KR E F E R E N C E A T A D
MAGNA
K
Как заменить транзистор B647: рекомендации и альтернативные варианты
Транзистор B647 – это один из самых популярных элементов в мире электроники. Он широко используется в различных устройствах, от телевизоров и радиоприемников до современных смартфонов и компьютеров. Однако, в некоторых случаях может возникнуть необходимость заменить этот транзистор на его аналог, поскольку его производство может быть прекращено, или просто потому, что нужны другие характеристики.
Подбор аналога для транзистора B647 основывается на анализе его основных характеристик, таких как максимальный коллекторный ток, ток коллектора в открытом состоянии, максимальное напряжение коллектор-эмиттер и коэффициент усиления тока.
Одним из самых популярных аналогов для транзистора B647 является транзистор 2N3906. Этот элемент имеет схожие характеристики и может успешно заменить B647 в большинстве случаев. Однако, перед заменой необходимо учесть, что некоторые параметры могут различаться, поэтому рекомендуется проверять даташиты и сравнивать характеристики перед применением нового транзистора.
Важно помнить, что правильный подбор аналога для транзистора B647 обеспечит стабильную и надежную работу устройства.
Если же вам необходимо заменить транзистор B647 на другой аналог, но вы не знаете, какой выбрать, то рекомендуется проконсультироваться с специалистами или изучить даташиты различных аналогов, чтобы определиться с выбором оптимального элемента.
Аналоги для транзистора B647: как подобрать?
При выборе аналога для транзистора B647 необходимо обратить внимание на следующие параметры:
- Тип корпуса: проверьте, что выбранный аналог имеет такой же тип корпуса, как и транзистор B647. Это позволит легко подключить компонент к схеме устройства.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo): убедитесь, что аналог имеет такое же или более высокое максимальное напряжение, чем у транзистора B647. Такое сопоставление позволит избежать повреждения компонента.
- Максимальный ток коллектора (Ic): убедитесь, что аналог имеет такое же или более высокое максимальное значение тока коллектора, чем у транзистора B647. Это обеспечит стабильную работу устройства без перегрузки компонента.
- Коэффициент усиления тока (hFE): выберите аналог с близкими значениями коэффициента усиления тока к транзистору B647. Это обеспечит схожую работу устройства.
Подобрать аналог для транзистора B647 можно с помощью специальных онлайн каталогов, где можно найти подробные описания и характеристики различных транзисторов. Также можно обратиться к опытным электронщикам или консультантам в магазинах электронных компонентов, которые помогут подобрать совместимый аналог.
Почему нужно заменить транзистор B647?
Возможные причины замены транзистора B647:
| Причина | Объяснение |
|---|---|
| Нет в продаже | Транзистор B647 может быть недоступен в магазинах и онлайн-платформах из-за своей устаревшей модели. |
| Устаревшие характеристики | Характеристики транзистора B647 могут не соответствовать современным требованиям и стандартам. Возможно, он не обеспечивает нужные значения тока и напряжения или несовместим с другими компонентами. |
| Обновление оборудования | Если вы обновляете или модернизируете электронное устройство, замена транзистора B647 может быть необходимой для совместимости с новыми компонентами. |
| Исправление неисправности | Если у вас возникла неисправность в узле или схеме, замена транзистора B647 может помочь восстановить работоспособность устройства. |
В любом случае, перед заменой транзистора B647 желательно провести анализ требований и характеристик схемы, чтобы правильно подобрать его аналог с достаточными показателями производительности.
Характеристики транзистора B647: анализ
Важное свойство транзистора B647 — его максимальное коллекторное напряжение (VCBO) составляет 80V, что позволяет использовать транзистор в различных цепях, подразумевающих использование напряжений до 80V на коллекторе. Максимальный ток коллектора (IC) этого транзистора — 3A, что также позволяет выдерживать достаточно большие токи для работы с усилителями мощности.
Также важные характеристики B647 — коэффициент усиления по току (hFE), его значительно больше 100, это позволяет использовать его в различных усилительных схемах. Малая величина насыщения напряжения коллектор-эмиттер (VCEsat) позволяет использовать B647 для коммутации малогабаритных источников тока.
Максимальная мощность, которую можно потреблять при использовании транзистора B647 — 1Вт. Доступность этого транзистора на рынке дает большую гибкость при выборе компонентов для различных схем.
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Максимальное коллекторное напряжение (VCBO) | 80V |
| Максимальный ток коллектора (IC) | 3A |
| Коэффициент усиления по току (hFE) | больше 100 |
| Насыщение напряжения коллектор-эмиттер (VCEsat) | малое значение |
| Максимальная мощность | 1Вт |
Таким образом, транзистор B647 обладает нужными характеристиками для использования в различных цепях, включая усилители мощности и коммутационные схемы, а также доступен на рынке, что делает его популярным в выборе компонентов.
Как подобрать аналог для транзистора B647?
При выборе аналога для транзистора B647 необходимо учесть его характеристики и параметры. Важно подобрать транзистор с аналогичными или близкими значениями таких параметров, как максимальное напряжение коллектор-эмиттер, максимальный ток коллектора, коэффициент усиления и другие.
Для начала стоит проанализировать информацию о транзисторе B647, которую можно найти в его документации или на официальном сайте производителя. Важно обратить внимание на его маркировку, чтобы правильно определить базовую конфигурацию и тип транзистора.
Далее можно использовать специальные интернет-ресурсы или программы для подбора аналогов. Такие ресурсы обычно предоставляют возможность ввести параметры и характеристики искомого транзистора, после чего выдают список подходящих аналогов с указанием их параметров и доступности на рынке. Это упрощает и ускоряет процесс поиска аналога.
При выборе аналога стоит также учесть специфику конкретного применения. В некоторых случаях могут быть дополнительные требования к транзистору, например, высокое сопротивление шунтирующего диода или низкий уровень шума. В таких случаях необходимо обращаться к профессионалам или обратиться к специализированным источникам информации, таким как datasheet.
Важно помнить, что подбор аналога — это сложный и ответственный процесс, так как неправильный выбор может привести к неправильной работе схемы или даже к ее повреждению. Поэтому рекомендуется проконсультироваться с опытными специалистами или использовать проверенные источники информации для подбора аналога транзистора B647.
Важные параметры для выбора аналога
При выборе аналога для транзистора B647 необходимо обратить внимание на следующие важные параметры:
1. Тип транзистора: убедитесь, что выбранный аналог имеет такой же тип транзистора (PNP).
2. Максимально допустимый коллекторный ток (Ic): выбранный аналог должен иметь такой же или более высокий максимально допустимый коллекторный ток, чтобы обеспечить надежную работу.
3. Коэффициент усиления тока (hfe): убедитесь, что выбранный аналог имеет такой же или близкий коэффициент усиления тока, чтобы обеспечить аналогичное усиление сигнала.
4. Максимально допустимая мощность (Pd): выбранный аналог должен обладать такой же или более высокой максимально допустимой мощностью для предотвращения перегрева.
5. Максимальное рабочее напряжение коллектор-эмиттер (Vce): выбранный аналог должен быть способен работать с таким же или более высоким максимальным рабочим напряжением для предотвращения повреждений.
6. Скорость переключения: учтите требования по скорости переключения, если в вашем приложении необходимо быстрое коммутационное действие.
7. Наличие защитных функций: убедитесь, что выбранный аналог имеет необходимые защитные функции, такие как защита от перегрева или перенапряжения, если они необходимы для вашего приложения.
Важно также обратить внимание на маркировку и конструктивные особенности выбранного аналога, чтобы они соответствовали вашим требованиям. Не забывайте также о возможности установки и о взаимозаменяемости выводов.
Рекомендации по выбору аналога для B647
Если вы ищете аналог транзистора B647, следует обратить внимание на следующие факторы:
- Тип транзистора: B647 является PNP-транзистором. При выборе аналога, убедитесь, что он также является PNP-транзистором.
- Максимальная рабочая напряжение и ток: Убедитесь, что выбранный аналог имеет такие же или большие значения максимальной рабочей напряженности и тока, как и у B647. Это поможет избежать повреждений и неправильной работы устройства.
- Коэффициент усиления: Если коэффициент усиления транзистора важен для вашего приложения, обратите внимание на его значение и сравните с аналогами. Выберите аналог с подходящим коэффициентом усиления.
- Температурный диапазон: Если ваше устройство будет работать в условиях повышенных или пониженных температур, убедитесь, что выбранный аналог имеет соответствующий температурный диапазон работы.
При выборе аналога для B647 рекомендуется обратиться к производителю транзистора или использовать специализированные онлайн-ресурсы, где можно получить информацию о доступных аналогах и их характеристиках. Также можно обратиться к профессиональным электронным форумам или консультантам, чтобы получить дополнительные рекомендации и советы.