7p3200 p что означает маркировка

Аккумуляторы типоразмера 18650 . Не дай себя обмануть !

Аккумуляторы типоразмера 18650 . Не дай себя обмануть !
Всем привет! Решил написал небольшую шпаргалку по выбору аккумуляторов типоразмера 18650.

У многих из нас есть фонари под данный тип аккумуляторов, а у кого-то есть и повербанки для таких типов аккумуляторов. Как не обмануться при покупке и какой тип выбрать поможет эта статья.
На написания этой статьи меня сподвигнул очередной перл от китайцев.

Достали, честно говоря, дурить народ!
ЗАПОМНИТЕ! На момент написания статьи, НЕ СУЩЕСТВУЕТ аккумуляторов ёмкостью ВЫШЕ 3600мА/ч в типоразмере 18650 !

1. Расшифровка загадочных надписей аккумуляторов

В массовом производстве используются три класса Li-ion аккумуляторов (за основу взят материал катода, вторая буква в маркировке):
1) литий-кобальтовые LiCoO2 (самые распространенные, наиболее высокая емкость среди Li-Ion)
2) литий-марганцевые LiMnO2, LiMn2O4, LiNiMnCoO2 (более известные как высокотоковые (INR), способные отдавать в нагрузку токи 5-7С, по емкости обычно уступающие первым)
3) литий-феррофосфат LiFePO4 (недооцененные рынком отличные аккумуляторы, по всем параметрам бесспорно выигрывающие у первых двух типов, кроме рабочего напряжения и емкости, она еще ниже, чем у INR)
Как говорится, все три класса заточены под выполнение конкретных задач, имеют свои плюсы и мнусы.

Так как единых стандартов маркировки аккумуляторов не существует, все производители маркируют по-разному. Но в идеале должно быть как-то так:
1) первая буква – технология изготовления (I — литий-ионная технология)
2) вторая буква — тип химии, материал катода (C/M/F — кобальтовая/марганцевая/железофосфатная химия)
3) третья буква R — аккумулятор (rechargeable)
4) пять цифр – формфактор (первые две цифры – диаметр, следующие две – длина, последняя цифра – форма акка (0 – цилиндрический))
— 10440 (всем привычные «мизинчики»)
— 14500 (всем привычные «пальчики»),
— 16340 (размер как у батарейки CR123),
— 17335 (не распространены)
— 18500 (также не слишком распространены)
— 18650 (самый распространенный формфактор на рынке),
— 18700 (неофициально, аккумулятор 18650 + плата защиты, т.е. защищённый аккумулятор ),
— 26650 (увеличенные, пришли на рынок с подачи компании A123 Systems, производящей литий-феррофосфатные аккумуляторы)
— 32650 (совсем монстры, только для стационарных устройств, вес почти 150гр)
— плюс неофициальные ф/ф с платами защиты, например 18670…
5) буквы/цифры — специфическая маркировка емкости (у всех производителей по-разному)

Пример маркировки, но как правило у всех производителей по разному:
— Samsung ICR18650-26F (литий-ионный аккум с привычной кобальтовой химией, ф/ф 18650 емкостью 2600mah)
— Samsung INR18650-20R (литий-ионный аккум с марганцевой химией, т.е. высокотоковый, ф/ф 18650 емкостью 2000mah)

Собственные обозначения:
Panasonic NCR18650PF (NCR – разновидность кобальтовой химии, что-то среднее между первым и вторым классом, т.е. простыми словами химия LiNiCoO2, без использования магранца. Как бы под определенный класс не подходит, получился некий симбиоз. Из плюсов – высокая плотность энергии с низкими порогами до 2,5-2,75V). В данном аккумуляторе применена LiNiMnCoO2 химия, то бишь он уже IMR высокотоковый на основе марганца, но производитель оставил старую маркировку.
Sanyo UR18650FM – информация может не точная, но встречал информацию, что Sanyo не производит аккумуляторы для розничной продажи, поэтому и не заморачивается с маркировкой. Она штампует банки для крупных производителей электроники, поэтому маркировка чисто «под себя». Возможно, по внутренним обозначениям компании, UR и F(M) означает тип, химию и емкость, по крайней мере в даташитах информации нет (только, что это маркировка модели). А так это литий-ионный аккум с привычной кобальтовой химией, ф/ф 18650 емкостью 2600mah.

2. Что значит защищённый аккумулятор

Li-Ion аккумуляторы должны работать в диапазоне напряжений 4,2-2,5В. Для того, чтобы в процессе работы напряжение на АКБ не выходило за пределы этого диапазона на минусовой контакт незащищенного Li-Ion АКБ (их еще называют «ячейка») ставят небольшую электронную плату защиты (зачастую, она именуется просто «защита»).

Именно эта плата обеспечивает работу ячейки в допустимом диапазоне напряжений, предохраняет от перегрузки по току и от короткого замыкания.

Плата защиты приваривается стальной лентой к контактам аккумулятора

Крупные производители Li-Ion аккумуляторов НЕ ВЫПУСКАЮТ ЗАЩИЩЕННЫХ АКБ. Они производят только НЕЗАЩИЩЕННЫЕ аккумуляторы. В природе не существует защищенных Li-Ion аккумуляторов Panasonic или SAMSUNG, которые были бы выпущены непосредственно «панасоником прямо в Японии» или «самсунгом» а все, кто утверждает обратное, по какой-то причине пытаются ввести вас в заблуждение.

Защищенные аккумуляторы СОБИРАЮТСЯ из незащищенного Li-Ion аккумулятора (ячейки) и платы защиты.

И собираются они тоже по-разному: сборка защищенных АКБ, в основном, происходит на заводах в Китае. Но Китай — Китаю рознь. Есть как откровенное барахло (с емкостями 3800мАч и выше) так и очень качественные продукты.

Защищенные аккумуляторы выпускаются под совершенно различными брендами, не имеющими отношения к производителю ячеек.
И весь этот «бутерброд», упаковывается в термо-пленку с обозначение бренда и емкости (как реальной так и совершенно бредовой, в некоторых случаях).

Из-за платы защищенные аккумуляторы на пару миллиметров длиннее своих незащищенных сородичей и на 0,5 мм толще.
Вследствии этого, ВАШ АККУМУЛЯТОР МОЖЕТ НЕ ВЛЕЗТЬ В ВАШЕ УСТРОЙСТВО

Такие аккумуляторы могут обозначаться типоразмером 18700 (где первые две цифры это диаметр в мм., а вторые две- длина). Это надо учитывать при выборе аккумулятора, — сможет ли такой аккумулятор влезть, к примеру, в ваш фонарь или зарядное устройство.

3. Для чего нужны защищённые аккумуляторы

Защищенные аккумуляторы можно применять в любых устройствах, которые расчитаны на работу с Li-Ion источниками питания и не имеют встроенного контроллера заряда-разряда. В настоящее время основными потребителями защищенных АКБ являются светодиодные фонари, так как именно такие аккумуляторы способны обеспечить питанием мощные светодиоды в течении продолжительного времени.
Если у вас светодиодный фонарь, с вероятностью 99% вам необходим защищенный аккумулятор. Если вы хотите отремонтировать батарею в ноутбуке или в шуруповерте или просто вам нужна БАТАРЕЯ из LI-Ion аккумуляторов, то вам необходимы именно незащищенные АКБ.
У некоторых аккумуляторов китайская защита слишком осторожная, и прерывает ток при меньшем потреблении. Из-за этого мощные фонари на XM-L просто не работают. Включаешь фонарь — он разок мигнет, и все. Вставил аккумулятор еще раз — тоже самое. Защита срабатывает почти мгновенно. Тут нужно либо содрать защиту, либо купить другой аккумулятор.
Защита неизбежно увеличивает длину аккумулятора на 3-4 мм, а то и больше. Когда длина достигает 7 см, некоторые фонари перестают закрываться и не работают. Чем длиннее аккумулятор, тем с большей силой давят на него пружины; иногда случается, что они даже продавливают минусовой контакт аккумулятора. Особенно часто это случается, когда фонарь используется как подствольный, во время отдачи при выстреле. Но и просто с усилием закручивать крышку фонаря, чувствуя, как пружина процарапывает аккумулятор, не слишком приятно.
Защита НЕ ПРЕДОХРАНЯЕТ фонарь от перегрева и последующего взрыва. От этого защищают отверстия в клапане, через которые стравливается повышенное давление в аккумуляторе. Но в герметичном пространстве это не сработает.
В принципе, при некотором внимании можно спокойно использовать не защищенные аккумуляторы. Многие так и делают. Естественно, речь идет про фонарь на одном аккумуляторе. Если используются несколько аккумуляторов, защита должна быть обязательно.

Таблица характеристик по известным брендам

Фирма Емкость Маркировка Напряжение заряда конечное напряжение ток разряда А непрерывный (максимальный)
1 LG 3200mAh ICR18650E1 4.35 ±0.05 V 2.75V 4,65-1,5С
2 LG 3000mAh ICR18650D1 4.35 ±0.05 V 2.75V 5,8-2С
3 LG 2800mAh ICR18650C1 4.35 ±0.05 V 3.0V 4-1,5С
4 LG 2600mAh ICR18650B2 4.2 ±0.05 V 3.0V 3,75-1,5С
5 LG 2600mAh ICR18650B3 4.2 ±0.05 V 3.0V 3,75-1,5С
6 LG 2600mAh ICR18650B4 4.2 ±0.05 V 2.75V 5-2С
7 LG 2400mAh ICR18650A4 4.2 ±0.05 V 3.0V 3,6-1,5С
8 LG 2200mAh ICR18650S3 4.2 ±0.05 V 3.0V 3,2-1,5С
9 Panasonic 3600mAh NCR18650G 4.2 ±0.05 V 2.5V 6,5-2C
10 Panasonic 3400mAh NCR18650B 4.2 ±0.05 V 2.5V 6,2-2C
11 Panasonic 3400mAh NCR18650BF 4.2 ±0.05 V 2.5V 6,2-2C
12 Panasonic 3200mAh NCR18650BD 4.2 ±0.05 V 2.5V 6,4-2C(10-3C)
13 Panasonic 3200mAh NCR18650BE 4.2 ±0.05 V 2.5V 6,4-2C(10-3C)
14 Panasonic 3100mAh NCR18650A 4.2 ±0.05 V 2.5V 5,9-2С
15 Panasonic 2900mAh NCR18650PF 4.2 ±0.05 V 2.5V 5,5-2C(10-3C)
16 Panasonic 2900mAh NCR18650PD 4.2 ±0.05 V 2.5V 5,5-2C(10-3C)
17 Panasonic 2900mAh NCR18650 4.2 ±0.05 V 2.5V 5,5-2С
18 Panasonic 2600mAh CGR18650E 4.2 ±0.05 V 3.0V 5-2С
19 Panasonic 2500mAh CGR18650F 4.2 ±0.05 V 3.0V 5-2С
20 Panasonic 2250mAh CGR18650CG 4.2 ±0.05 V 3.0V 4,3-2С
21 Panasonic 1900mAh UR18650Y 4.2 ±0.05 V 2.75V 3,8-2С
22 Samsung 3200mAh ICR18650-32A 4.35 ±0.05 V 2.75V 6,4-2C
23 Samsung 3000mAh ICR18650-30B 4.35 ±0.05 V 2.75V 5,9-2C
24 Samsung 3000mAh ICR18650-30A 4.3 ±0.05 V 2.75V 6-2C
25 Samsung 2900mAh ICR18650-29E 4.2 ±0.05 V 2.5V 2,8-1C(8,25-3C)
26 Samsung 2800mAh ICR18650-28A 4.3 ±0.05 V 2.75V 5,6-2C
27 Samsung 2600mAh ICR18650-26C 4.2 ±0.05 V 2.75V 5,2-2C
28 Samsung 2600mAh ICR18650-26F 4.2 ±0.05 V 2.75V 5,2-2C
29 Samsung 2600mAh ICR18650-26H 4.2 ±0.05 V 2.75V 5,2-2C
30 Samsung 2400mAh ICR18650-24E 4.2 ±0.05 V 2.75V 4,8-2C
31 Samsung 2200mAh ICR18650-22F 4.2 ±0.05 V 2.75V 4,4-2C
32 Sanyo 3350mAh NCR18650BF 4.2 ±0.05 V 2.5V 6,2-2C
33 Sanyo 3000mAh UR18650ZTA 4.35 ±0.05 V 3.0V 5,8-2C
34 Sanyo 2800mAh UR18650ZT 4.3 ±0.05 V 3.0V 5,4-2C
35 Sanyo 2600mAh UR18650ZY 4.2 ±0.05 V 2.75V 2,6-1C
36 Sanyo 2600mAh UR18650FM 4.2 ±0.05 V 2.75V 5-2C
37 Sanyo 2400mAh UR18650F 4.2 ±0.05 V 2.75V 5-2C
38 Sanyo 2250mAh UR18650A 4.2 ±0.05 V 2.75V 4,3-2C
39 Sanyo 2200mAh UR18650FJ 4.2 ±0.05 V 2.75V
40 Sanyo 2000mAh UR18650Y 4.2 ±0.05 V 2.75V 3,8-2С
41 Sony 2900mAh US18650NC1 4.2 ±0.05 V 2.5V 8(10)
42 Sony 2600mAh US18650GR 8A 4.2 ±0.05 V 3.0V
43 Sony 2400mAh US18650GR G7 4.2 ±0.05 V 3.0V
44 Sony 2200mAh US18650GR G5 4.2 ±0.05 V 3.0V

Производитель Емкость Маркировка ток(А)
1 LG 1 500 HB2 20
2 LG 1 500 HB6 25
3 LG 2 000 HD2 20
4 LG 2 000 НE1 10
5 LG 2 500 HE2 20
6 LG 2 500 HE4 20
7 LG 3 000 HG2 20
8 LG 3 200 MH1 10
9 LG 3 500 MJ1 10
10 Panasonic 2 250 CGR18650CH 10
11 Panasonic 2 900 NCR18650PF 10
12 Panasonic 2 900 NCR18650PD 10
13 Panasonic 3 200 NCR18650BD 10
14 Samsung 1 300 INR18650-13Q 18
15 Samsung 1 300 INR18650-13P 10
16 Samsung 1 500 INR18650-15Q 18
17 Samsung 1 500 INR18650-15M 23
18 Samsung 1 500 INR18650-15R 25
19 Samsung 2 000 INR18650-20Q 15
20 Samsung 2 000 INR18650-20R 22
21 Samsung 2 200 ICR18650-22P 10
22 Samsung 2 400 INR18650-24R 25
23 Samsung 2 500 INR18650-25R 20
24 Samsung 3 000 INR18650-30Q 15
25 Samsung 3 200 INR18650-32E 10
26 Samsung 3 500 INR18650-35E 8
27 Sanyo 1 300 UR18650SA 15
28 Sanyo 1 300 UR18650SAX 25
29 Sanyo 1 500 UR18650W2 18
30 Sanyo 1 500 UR18650WX 25
31 Sanyo 2 000 UR18650EX 20
32 Sanyo 2 000 UR18650RX 10
33 Sanyo 3 500 NCR18650GA 10
34 Sony 1 100 US18650VT 10
35 Sony 1 300 SE US18650VT 20
36 Sony 1 600 US18650VTC3 30
37 Sony 2 100 US18650VTC4 30
38 Sony 2 250 US18650V3 10
39 Sony 2 600 US18650VTC5 30
40 Sony 2 900 US18650NC1 10

Что означает «s» и «p», когда на батарее написано «2s2p», «3s1p»?

Что означает «s» и «p», когда на батарее написано «2s2p», «3s1p»?

По материалам: RC-Monster.com
Автор перевода: Владислав Ярополов.

Во-первых, для 2s/3s/4s — «s» означает последовательное соединение. Это количество ячеек в батарее, которые соединены последовательно, с целью получения общего напряжения батареи. Каждая ячейка обладает номинальным напряжением в 3,7 вольта, поэтому 2s = 7,4В, 3s = 11,1В, 4 s = 14,8В и т.д. При последовательном соединении емкость батареи равна емкости одной из составляющих индивидуальных ячеек. NiMH батареи состоят из последовательно соединенных элементов, поэтому вы можете провести сравнение, назвав 6-и элементную NiMH батарею NiMH батареей 6s.

Во-вторых, для 2s2p — «p» означает параллельное соединение. В отличие от традиционных NiMH батарей, LiPo батареи обычно соединяются параллельно в дополнение к последовательному соединению ячеек. Число перед «p» является количеством ячеек в батарее, соединенных параллельно, что увеличивает общую емкость батареи. Каждое «p» добавляет емкость, равную индивидуальной емкости одной ячейки в батарее. Эта концепция может показаться немного трудной для понимания, но мы попытаемся это разъяснить.

Например, возьмем батарею 2s2p 7,4V 6400 mAh. Батарея изготовлена из ячеек с напряжением 3,7В (одинаково для всех LiPo батарей) и емкостью 3200 mAh. 2s означает ДВЕ ячейки ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО, поэтому напряжение составит 3,7В * 2 = 7,4 вольта. 2p означает ЕЩЕ ДВЕ ячейки ПАРАЛЛЕЛЬНО с первыми двумя, добавляя емкость, равную емкости одной ячейки в батарее, поэтому емкость составит 3200 mAh + 3200 mAh = 6400 mAh.

Следовательно, 2s = 7,4 вольта и 2 p = 6400 mAh.

Батареи могут быть соединены вместе для увеличения напряжения, подобно тому, как мы соединяем две 6-и элементных NiMH батареи вместе, чтобы получить напряжение 14,4 вольта в E — Maxx. Две LiPo батареи 2s1p , соединенные последовательно, обеспечат напряжение в 14,8 вольт. Когда соединяем батареи последовательно или параллельно, важно удостовериться, что они имеют одинаковое начальное напряжение, т.е любая из батарей не разряжена больше, чем другая. Запомните, избыточный разряд может нанести постоянный ущерб емкости и эксплуатационным характеристикам батареи.

7p3200 p что означает маркировка

Аккумуляторы типоразмера 18650 . Не дай себя обмануть !

Аккумуляторы типоразмера 18650 . Не дай себя обмануть !
Всем привет! Решил написал небольшую шпаргалку по выбору аккумуляторов типоразмера 18650.

У многих из нас есть фонари под данный тип аккумуляторов, а у кого-то есть и повербанки для таких типов аккумуляторов. Как не обмануться при покупке и какой тип выбрать поможет эта статья.
На написания этой статьи меня сподвигнул очередной перл от китайцев.

Достали, честно говоря, дурить народ!
ЗАПОМНИТЕ! На момент написания статьи, НЕ СУЩЕСТВУЕТ аккумуляторов ёмкостью ВЫШЕ 3600мА/ч в типоразмере 18650 !

1. Расшифровка загадочных надписей аккумуляторов

В массовом производстве используются три класса Li-ion аккумуляторов (за основу взят материал катода, вторая буква в маркировке):
1) литий-кобальтовые LiCoO2 (самые распространенные, наиболее высокая емкость среди Li-Ion)
2) литий-марганцевые LiMnO2, LiMn2O4, LiNiMnCoO2 (более известные как высокотоковые (INR), способные отдавать в нагрузку токи 5-7С, по емкости обычно уступающие первым)
3) литий-феррофосфат LiFePO4 (недооцененные рынком отличные аккумуляторы, по всем параметрам бесспорно выигрывающие у первых двух типов, кроме рабочего напряжения и емкости, она еще ниже, чем у INR)
Как говорится, все три класса заточены под выполнение конкретных задач, имеют свои плюсы и мнусы.

Так как единых стандартов маркировки аккумуляторов не существует, все производители маркируют по-разному. Но в идеале должно быть как-то так:
1) первая буква – технология изготовления (I — литий-ионная технология)
2) вторая буква — тип химии, материал катода (C/M/F — кобальтовая/марганцевая/железофосфатная химия)
3) третья буква R — аккумулятор (rechargeable)
4) пять цифр – формфактор (первые две цифры – диаметр, следующие две – длина, последняя цифра – форма акка (0 – цилиндрический))
— 10440 (всем привычные «мизинчики»)
— 14500 (всем привычные «пальчики»),
— 16340 (размер как у батарейки CR123),
— 17335 (не распространены)
— 18500 (также не слишком распространены)
— 18650 (самый распространенный формфактор на рынке),
— 18700 (неофициально, аккумулятор 18650 + плата защиты, т.е. защищённый аккумулятор ),
— 26650 (увеличенные, пришли на рынок с подачи компании A123 Systems, производящей литий-феррофосфатные аккумуляторы)
— 32650 (совсем монстры, только для стационарных устройств, вес почти 150гр)
— плюс неофициальные ф/ф с платами защиты, например 18670…
5) буквы/цифры — специфическая маркировка емкости (у всех производителей по-разному)

Пример маркировки, но как правило у всех производителей по разному:
— Samsung ICR18650-26F (литий-ионный аккум с привычной кобальтовой химией, ф/ф 18650 емкостью 2600mah)
— Samsung INR18650-20R (литий-ионный аккум с марганцевой химией, т.е. высокотоковый, ф/ф 18650 емкостью 2000mah)

Собственные обозначения:
Panasonic NCR18650PF (NCR – разновидность кобальтовой химии, что-то среднее между первым и вторым классом, т.е. простыми словами химия LiNiCoO2, без использования магранца. Как бы под определенный класс не подходит, получился некий симбиоз. Из плюсов – высокая плотность энергии с низкими порогами до 2,5-2,75V). В данном аккумуляторе применена LiNiMnCoO2 химия, то бишь он уже IMR высокотоковый на основе марганца, но производитель оставил старую маркировку.
Sanyo UR18650FM – информация может не точная, но встречал информацию, что Sanyo не производит аккумуляторы для розничной продажи, поэтому и не заморачивается с маркировкой. Она штампует банки для крупных производителей электроники, поэтому маркировка чисто «под себя». Возможно, по внутренним обозначениям компании, UR и F(M) означает тип, химию и емкость, по крайней мере в даташитах информации нет (только, что это маркировка модели). А так это литий-ионный аккум с привычной кобальтовой химией, ф/ф 18650 емкостью 2600mah.

2. Что значит защищённый аккумулятор

Li-Ion аккумуляторы должны работать в диапазоне напряжений 4,2-2,5В. Для того, чтобы в процессе работы напряжение на АКБ не выходило за пределы этого диапазона на минусовой контакт незащищенного Li-Ion АКБ (их еще называют «ячейка») ставят небольшую электронную плату защиты (зачастую, она именуется просто «защита»).

Именно эта плата обеспечивает работу ячейки в допустимом диапазоне напряжений, предохраняет от перегрузки по току и от короткого замыкания.

Плата защиты приваривается стальной лентой к контактам аккумулятора

Крупные производители Li-Ion аккумуляторов НЕ ВЫПУСКАЮТ ЗАЩИЩЕННЫХ АКБ. Они производят только НЕЗАЩИЩЕННЫЕ аккумуляторы. В природе не существует защищенных Li-Ion аккумуляторов Panasonic или SAMSUNG, которые были бы выпущены непосредственно «панасоником прямо в Японии» или «самсунгом» а все, кто утверждает обратное, по какой-то причине пытаются ввести вас в заблуждение.

Защищенные аккумуляторы СОБИРАЮТСЯ из незащищенного Li-Ion аккумулятора (ячейки) и платы защиты.

И собираются они тоже по-разному: сборка защищенных АКБ, в основном, происходит на заводах в Китае. Но Китай — Китаю рознь. Есть как откровенное барахло (с емкостями 3800мАч и выше) так и очень качественные продукты.

Защищенные аккумуляторы выпускаются под совершенно различными брендами, не имеющими отношения к производителю ячеек.
И весь этот «бутерброд», упаковывается в термо-пленку с обозначение бренда и емкости (как реальной так и совершенно бредовой, в некоторых случаях).

Из-за платы защищенные аккумуляторы на пару миллиметров длиннее своих незащищенных сородичей и на 0,5 мм толще.
Вследствии этого, ВАШ АККУМУЛЯТОР МОЖЕТ НЕ ВЛЕЗТЬ В ВАШЕ УСТРОЙСТВО

Такие аккумуляторы могут обозначаться типоразмером 18700 (где первые две цифры это диаметр в мм., а вторые две- длина). Это надо учитывать при выборе аккумулятора, — сможет ли такой аккумулятор влезть, к примеру, в ваш фонарь или зарядное устройство.

3. Для чего нужны защищённые аккумуляторы

Защищенные аккумуляторы можно применять в любых устройствах, которые расчитаны на работу с Li-Ion источниками питания и не имеют встроенного контроллера заряда-разряда. В настоящее время основными потребителями защищенных АКБ являются светодиодные фонари, так как именно такие аккумуляторы способны обеспечить питанием мощные светодиоды в течении продолжительного времени.
Если у вас светодиодный фонарь, с вероятностью 99% вам необходим защищенный аккумулятор. Если вы хотите отремонтировать батарею в ноутбуке или в шуруповерте или просто вам нужна БАТАРЕЯ из LI-Ion аккумуляторов, то вам необходимы именно незащищенные АКБ.
У некоторых аккумуляторов китайская защита слишком осторожная, и прерывает ток при меньшем потреблении. Из-за этого мощные фонари на XM-L просто не работают. Включаешь фонарь — он разок мигнет, и все. Вставил аккумулятор еще раз — тоже самое. Защита срабатывает почти мгновенно. Тут нужно либо содрать защиту, либо купить другой аккумулятор.
Защита неизбежно увеличивает длину аккумулятора на 3-4 мм, а то и больше. Когда длина достигает 7 см, некоторые фонари перестают закрываться и не работают. Чем длиннее аккумулятор, тем с большей силой давят на него пружины; иногда случается, что они даже продавливают минусовой контакт аккумулятора. Особенно часто это случается, когда фонарь используется как подствольный, во время отдачи при выстреле. Но и просто с усилием закручивать крышку фонаря, чувствуя, как пружина процарапывает аккумулятор, не слишком приятно.
Защита НЕ ПРЕДОХРАНЯЕТ фонарь от перегрева и последующего взрыва. От этого защищают отверстия в клапане, через которые стравливается повышенное давление в аккумуляторе. Но в герметичном пространстве это не сработает.
В принципе, при некотором внимании можно спокойно использовать не защищенные аккумуляторы. Многие так и делают. Естественно, речь идет про фонарь на одном аккумуляторе. Если используются несколько аккумуляторов, защита должна быть обязательно.

Таблица характеристик по известным брендам

Фирма Емкость Маркировка Напряжение заряда конечное напряжение ток разряда А непрерывный (максимальный)
1 LG 3200mAh ICR18650E1 4.35 ±0.05 V 2.75V 4,65-1,5С
2 LG 3000mAh ICR18650D1 4.35 ±0.05 V 2.75V 5,8-2С
3 LG 2800mAh ICR18650C1 4.35 ±0.05 V 3.0V 4-1,5С
4 LG 2600mAh ICR18650B2 4.2 ±0.05 V 3.0V 3,75-1,5С
5 LG 2600mAh ICR18650B3 4.2 ±0.05 V 3.0V 3,75-1,5С
6 LG 2600mAh ICR18650B4 4.2 ±0.05 V 2.75V 5-2С
7 LG 2400mAh ICR18650A4 4.2 ±0.05 V 3.0V 3,6-1,5С
8 LG 2200mAh ICR18650S3 4.2 ±0.05 V 3.0V 3,2-1,5С
9 Panasonic 3600mAh NCR18650G 4.2 ±0.05 V 2.5V 6,5-2C
10 Panasonic 3400mAh NCR18650B 4.2 ±0.05 V 2.5V 6,2-2C
11 Panasonic 3400mAh NCR18650BF 4.2 ±0.05 V 2.5V 6,2-2C
12 Panasonic 3200mAh NCR18650BD 4.2 ±0.05 V 2.5V 6,4-2C(10-3C)
13 Panasonic 3200mAh NCR18650BE 4.2 ±0.05 V 2.5V 6,4-2C(10-3C)
14 Panasonic 3100mAh NCR18650A 4.2 ±0.05 V 2.5V 5,9-2С
15 Panasonic 2900mAh NCR18650PF 4.2 ±0.05 V 2.5V 5,5-2C(10-3C)
16 Panasonic 2900mAh NCR18650PD 4.2 ±0.05 V 2.5V 5,5-2C(10-3C)
17 Panasonic 2900mAh NCR18650 4.2 ±0.05 V 2.5V 5,5-2С
18 Panasonic 2600mAh CGR18650E 4.2 ±0.05 V 3.0V 5-2С
19 Panasonic 2500mAh CGR18650F 4.2 ±0.05 V 3.0V 5-2С
20 Panasonic 2250mAh CGR18650CG 4.2 ±0.05 V 3.0V 4,3-2С
21 Panasonic 1900mAh UR18650Y 4.2 ±0.05 V 2.75V 3,8-2С
22 Samsung 3200mAh ICR18650-32A 4.35 ±0.05 V 2.75V 6,4-2C
23 Samsung 3000mAh ICR18650-30B 4.35 ±0.05 V 2.75V 5,9-2C
24 Samsung 3000mAh ICR18650-30A 4.3 ±0.05 V 2.75V 6-2C
25 Samsung 2900mAh ICR18650-29E 4.2 ±0.05 V 2.5V 2,8-1C(8,25-3C)
26 Samsung 2800mAh ICR18650-28A 4.3 ±0.05 V 2.75V 5,6-2C
27 Samsung 2600mAh ICR18650-26C 4.2 ±0.05 V 2.75V 5,2-2C
28 Samsung 2600mAh ICR18650-26F 4.2 ±0.05 V 2.75V 5,2-2C
29 Samsung 2600mAh ICR18650-26H 4.2 ±0.05 V 2.75V 5,2-2C
30 Samsung 2400mAh ICR18650-24E 4.2 ±0.05 V 2.75V 4,8-2C
31 Samsung 2200mAh ICR18650-22F 4.2 ±0.05 V 2.75V 4,4-2C
32 Sanyo 3350mAh NCR18650BF 4.2 ±0.05 V 2.5V 6,2-2C
33 Sanyo 3000mAh UR18650ZTA 4.35 ±0.05 V 3.0V 5,8-2C
34 Sanyo 2800mAh UR18650ZT 4.3 ±0.05 V 3.0V 5,4-2C
35 Sanyo 2600mAh UR18650ZY 4.2 ±0.05 V 2.75V 2,6-1C
36 Sanyo 2600mAh UR18650FM 4.2 ±0.05 V 2.75V 5-2C
37 Sanyo 2400mAh UR18650F 4.2 ±0.05 V 2.75V 5-2C
38 Sanyo 2250mAh UR18650A 4.2 ±0.05 V 2.75V 4,3-2C
39 Sanyo 2200mAh UR18650FJ 4.2 ±0.05 V 2.75V
40 Sanyo 2000mAh UR18650Y 4.2 ±0.05 V 2.75V 3,8-2С
41 Sony 2900mAh US18650NC1 4.2 ±0.05 V 2.5V 8(10)
42 Sony 2600mAh US18650GR 8A 4.2 ±0.05 V 3.0V
43 Sony 2400mAh US18650GR G7 4.2 ±0.05 V 3.0V
44 Sony 2200mAh US18650GR G5 4.2 ±0.05 V 3.0V

Производитель Емкость Маркировка ток(А)
1 LG 1 500 HB2 20
2 LG 1 500 HB6 25
3 LG 2 000 HD2 20
4 LG 2 000 НE1 10
5 LG 2 500 HE2 20
6 LG 2 500 HE4 20
7 LG 3 000 HG2 20
8 LG 3 200 MH1 10
9 LG 3 500 MJ1 10
10 Panasonic 2 250 CGR18650CH 10
11 Panasonic 2 900 NCR18650PF 10
12 Panasonic 2 900 NCR18650PD 10
13 Panasonic 3 200 NCR18650BD 10
14 Samsung 1 300 INR18650-13Q 18
15 Samsung 1 300 INR18650-13P 10
16 Samsung 1 500 INR18650-15Q 18
17 Samsung 1 500 INR18650-15M 23
18 Samsung 1 500 INR18650-15R 25
19 Samsung 2 000 INR18650-20Q 15
20 Samsung 2 000 INR18650-20R 22
21 Samsung 2 200 ICR18650-22P 10
22 Samsung 2 400 INR18650-24R 25
23 Samsung 2 500 INR18650-25R 20
24 Samsung 3 000 INR18650-30Q 15
25 Samsung 3 200 INR18650-32E 10
26 Samsung 3 500 INR18650-35E 8
27 Sanyo 1 300 UR18650SA 15
28 Sanyo 1 300 UR18650SAX 25
29 Sanyo 1 500 UR18650W2 18
30 Sanyo 1 500 UR18650WX 25
31 Sanyo 2 000 UR18650EX 20
32 Sanyo 2 000 UR18650RX 10
33 Sanyo 3 500 NCR18650GA 10
34 Sony 1 100 US18650VT 10
35 Sony 1 300 SE US18650VT 20
36 Sony 1 600 US18650VTC3 30
37 Sony 2 100 US18650VTC4 30
38 Sony 2 250 US18650V3 10
39 Sony 2 600 US18650VTC5 30
40 Sony 2 900 US18650NC1 10

Характеристики и маркировка оперативной памяти

Как известно, оперативная память вкладывает большую составляющую в производительность компьютера. И понятно, что пользователи стараются увеличить объем оперативной памяти по максимуму.
Если года 2-3 назад на рынке было буквально несколько типов модулей памяти, то сейчас их значительно больше. И разобраться в них стало сложнее.

В этой статье мы рассмотрим различные обозначения в маркировке модулей памяти, чтобы вам проще в них было ориентироваться.

Для начала введем ряд терминов, котоыре нам понадобятся для понимания статьи:

• планка («плашка») — модуль памяти, печатная плата с микросхемами памяти на борту, устанавливаемая в слот памяти;
• односторонняя планка — планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с 1 стороны модуля.
• двухсторонняя планка — планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с обоих сторон модуля.
• RAM (Random Access Memory, ОЗУ) — память с произвольным доступом, проще говоря — оперативная память. Это энергозависимая память, содержимое которой теряется при отсутствии питания.
• SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) — синхронная динамическая оперативная память: все современные модули памяти имеют именно такое устройство, то есть требуют постоянной синхронизации и обновления содержимого.

• 4096Mb (2x2048Mb) DIMM DDR2 PC2-8500 Corsair XMS2 C5 [TWIN2X4096-8500C5] BOX
• 1024Mb SO-DIMM DDR2 PC6400 OCZ OCZ2M8001G (5-5-5-15) Retail

Объем

Первым обозначением в строке идет объем модулей памяти. В частности, в первом случае это — 4 ГБ, а во втором — 1 ГБ. Правда, 4 ГБ в данном случае реализованы не одной планкой памяти, а двумя. Это так называемый Kit of 2 — набор из двух планок. Обычно такие наборы покупаются для установки планок в двухканальном режиме в параллельные слоты. Тот факт, что они имеют одинаковые параметры, улучшит их совместимость, что благоприятно сказывается на стабильности.

Тип корпуса

DIMM/SO-DIMM — это тип корпуса планки памяти. Все современные модули памяти выпускаются в одном из двух указанных конструктивных исполнений.
DIMM (Dual In-line Memory Module) — модуль, у которого контакты расположены в ряд на обоих сторонах модуля.
Память типа DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных DIMM-модулей, а для памяти типа DDR2 SDRAM выпускаются 240-контактные планки.

В ноутбуках используются модули памяти меньших габаритов, называемые SO-DIMM (Small Outline DIMM).

Тип памяти

Тип памяти — это архитектура, по которой организованы сами микросхемы памяти. Она влияет на все технические характеристики памяти — производительность, частоту, напряжение питание и др.

На данный момент используется 3 типа памяти: DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM. Из них DDR3 — самые производительные, меньше всего потребляющие энергии.

Частоты передачи данных для типов памяти:

• DDR: 200-400 МГц
• DDR2: 533-1200 МГц
• DDR3: 800-2400 МГц

Цифра, указываемая после типа памяти — и есть частота: DDR400, DDR2-800.

Модули памяти всех типов отличаются напряжением питания и разъемами и не позволяют быть вставленными друг в друга.

Частота передачи данных характеризует потенциал шины памяти по передаче данных за единицу времени: чем больше частота, тем больше данных можно передать.

Однако, есть еще факторы, такие как количество каналов памяти, разрядность шины памяти. Они также влияют на производительность подсистем памяти.

Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.

Пропускная способность (B) = Частота (f) x разрядность шины памяти (c) x кол-во каналов (k)

Например, при использовании памяти DDR400 400 МГц и двухканального контроллера памяти пропускная способность будет:
(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с

На 8 мы поделили, чтобы перевести Мбит/с в Мбайт/с (в 1 байте 8 бит).

Стандарт скорости модуля памяти

В обозначении для облегчения понимания скорости модуля указывается и стандарт пропускной способности памяти. Он как раз и показывает, какую пропускную способность имеет модуль.

Все эти стандарты начинаются с букв PC и далее идут цифры, указывающие пропускную способность памяти в Мбайтах в секунду.

Название модуля	Частота шины	Тип чипа	Пиковая скорость передачи данных
PC2-3200	200 МГц	DDR2-400	3200 МБ/с или 3.2 ГБ/с
PC2-4200	266 МГц	DDR2-533	4200 МБ/с или 4.2 ГБ/с
PC2-5300	333 МГц	DDR2-667	5300 МБ/с или 5.3 ГБ/с 1
PC2-5400	337 МГц	DDR2-675	5400 МБ/с или 5.4 ГБ/с
PC2-5600	350 МГц	DDR2-700	5600 МБ/с или 5.6 ГБ/с
PC2-5700	355 МГц	DDR2-711	5700 МБ/с или 5.7 ГБ/с
PC2-6000	375 МГц	DDR2-750	6000 МБ/с или 6.0 ГБ/с
PC2-6400	400 МГц	DDR2-800	6400 МБ/с или 6.4 ГБ/с
PC2-7100	444 МГц	DDR2-888	7100 МБ/с или 7.1 ГБ/с
PC2-7200	450 МГц	DDR2-900	7200 МБ/с или 7.2 ГБ/с
PC2-8000	500 МГц	DDR2-1000	8000 МБ/с или 8.0 ГБ/с
PC2-8500	533 МГц	DDR2-1066	8500 МБ/с или 8.5 ГБ/с
PC2-9200	575 МГц	DDR2-1150	9200 МБ/с или 9.2 ГБ/с
PC2-9600	600 МГц	DDR2-1200	9600 МБ/с или 9.6 ГБ/с

Тип памяти	Частота памяти	Время цикла	Частота шины	Передач данных в секунду	Название стандарта	Пиковая скорость передачи данных
DDR3-800	100 МГц	10.00 нс	400 МГц	800 млн	PC3-6400	6400 МБ/с
DDR3-1066	133 МГц	7.50 нс	533 МГц	1066 млн	PC3-8500	8533 МБ/с
DDR3-1333	166 МГц	6.00 нс	667 МГц	1333 млн	PC3-10600	10667 МБ/с
DDR3-1600	200 МГц	5.00 нс	800 МГц	1600 млн	PC3-12800	12800 МБ/с
DDR3-1800	225 МГц	4.44 нс	900 МГц	1800 млн	PC3-14400	14400 МБ/с
DDR3-2000	250 МГц	4.00 нс	1000 МГц	2000 млн	PC3-16000	16000 МБ/с
DDR3-2133	266 МГц	3.75 нс	1066 МГц	2133 млн	PC3-17000	17066 МБ/с
DDR3-2400	300 МГц	3.33 нс	1200 МГц	2400 млн	PC3-19200	19200 МБ/с

В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.

Производитель и его part number

Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) — номер детали.

Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:

• Kingston KVR800D2N6/1G
• OCZ OCZ2M8001G
• Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5

На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.
Модули Kingston семейства ValueRAM:

Модули Kingston семейства HyperX (с дополнительным пассивным охлаждением для разгона):

По маркировке OCZ можно понять, что это модуль DDR2 объемом 1 Гбайт, частотой 800 МГц.

По маркировке CM2X1024-6400C5 понятно, что это модуль DDR2 объемом 1024 Мбайт стандарта PC2-6400 и задержками CL=5.

Некоторые производители вместо частоты или стандарта памяти указывают время в нс доступа к чипу памяти. По этому времени можно понять, какая используется частота.
Так поступает Micron: MT47H128M16HG-3. Цифра в конце обозначает, что время доступа — 3 нс (0.003 мс).

По известной форуме T=1/f частота работы чипа f=1/T: 1/0,003 = 333 МГц.
Частота передачи данных в 2 раза выше — 667 МГц.
Соответственно, данный модуль DDR2-667.

Тайминги

Тайминги — это задержки при обращении к микросхемам памяти. Естественно, чем они меньше — тем быстрее работает модуль.

Дело в том, что микросхемы памяти на модуле имеют матричную структуру — представлены в виде ячеек матрицы с номером строки и номером столбца.
При обращении к ячейке памяти считывается вся строка, в которой находится нужная ячейка.

Сначала происходит выбор нужной строки, затем нужного столбца. На пересечении строки и номера столбца и находится нужная ячейка. С учетом огромных объемом современной RAM такие матрицы памяти не целиковые — для более быстрого доступа к ячейкам памяти они разбиты на страницы и банки.
Сначала происходит обращение к банку памяти, активизация страницы в нем, затем уже происходит работа в пределах текущей страницы: выбор строки и столбца.
Все эти действия происходит с определенно задержкой друг относительно друг друга.

Основные тайминги RAM — это задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (RAS to CAS delay, RCD), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (CAS latency, CL), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (RAS precharge, RP). Тайминги измеряются в наносекундах (нс).

Эти тайминги так и идут друг за другом в порядке выполнения операций и также обозначаются схематично 5-5-5-15. В данном случае все три тайминга по 5 нс, а общий рабочий цикл — 15 нс с момента активизации строки.

Главным таймингом считается CAS latency, который часто обозначается сокращенно CL=5. Именно он в наибольшей степени «тормозит» память.

Основываясь на этой информации, вы сможете грамотно выбрать подходящий модуль памяти.

Маркировка и расшифровка аккумуляторов 18650

Литий-ионные аккумуляторы форм-фактора 18650 – это цилиндрические ячейки размерами 18 х 65 мм. При наличии электронной платы защиты размеры ячеек немного увеличиваются – примерно на 0,3–0,5 мм. Несмотря на одинаковые размеры и схожий внешний вид, разные Li-ion аккумуляторы типоразмера 18650 могут значительно отличаться по типу химии и рабочим параметрам. Даже продукция одного бренда и серии может отличаться – как минимум, датой производства.

Поэтому при выборе литиевых аккумуляторов нужно обращать внимание на их маркировку и уметь ее расшифровывать. Типы маркировок 18650 элементов у известных производителей схожи, но имеют некоторые отличия. И хотя на первый взгляд шифровка может казаться непонятной, по обозначениям на защитной оболочке аккума можно узнать всю необходимую информацию о нем – от типа химии до даты изготовления.

Буквенная маркировка аккумуляторов 18650

В распространенных вариантах буквенной маркировки – ICR, INR, IMR, IFR – буква I указывает на использование Li-ion технологии, а R – на то, что это не батарейка, а перезаряжаемый аккумулятор (Rechargeable). По 2-й букве такой маркировки можно определить тип химии:

1. ICR – литий-кобальтовая технология. Обеспечивает высокую энергоемкость, но не отличается стабильностью. Часто ICR аккумуляторы применяются в ноутбуках. Для безопасного использования таких элементов необходима надежная плата защиты.
2. IMR – литий-марганцевая технология. Такие «банки» выдерживают разрядные токи до 10С, поэтому их называют высокотоковыми. Они отличаются повышенной стабильностью и эффективностью.
3. INR – состав с никелем и марганцем. Такое сочетание компонентов обеспечивает аккумуляторам высокую энергоемкость (благодаря никелю), химическую стабильность, безопасность применения и низкое сопротивление (благодаря марганцу). INR аккумуляторы дороже ICR и IMR моделей. Применяются они в фонариках, цифровой технике, электроинструментах.
4. IFR – литий-железо-фосфатные модели. Отличаются рекордной стабильностью и безопасностью. Обеспечивают токоотдачу до 30С. Без проблем работают при температурах от -30 до +60 °С. В отличие от остальных моделей, имеют меньшее рабочее напряжение и редко встречаются формате 18650. Используются в АКБ для электротранспорта, солнечных электростанций, портативного электроинструмента, пуско-зарядных устройств, телекоммуникационных приборов.

Ранги оперативной памяти: что это такое, как узнать и какая лучше

Итак, оперативная память имеет следующие ключевые параметры:

• Тактовая частота — скорость выполнения операции в МГц.
• Объем — объем хранимых данных в ГБ.
• Пропускная способность — максимальный объем данных в Мбит/с.
• Тайминг — выражает задержки между тактами. Чем ниже показатель — тем лучше.
• Количество каналов — позволяет значительно повысить производительность ОЗУ.
• ЕСС — режим коррекции ошибок в серверных модулях.
• XMP-профиль — умная система адаптивного разгона.

И вроде, чтобы определить, насколько эффективна будет работа оперативной памяти, этого достаточно. Но если ввести еще одну переменную — ранг (rank, ранк) — она с ног на голову перевернет привычную парадигму выбора ОЗУ.

Что такое ранг оперативной памяти?

С приходом на рынок AMD Ryzen в инфополе массово заговорили о рангах оперативной памяти и их чудесных свойствах, особенно для любителей оверклокинга. Но для большинства пользователей понятие о «ранговости» свелось к размещению чипов памяти на текстолите ОЗУ:

• с одной стороны — одноранговый модуль;
• с двух сторон — двухранговый модуль.

Однако это неверное представление, ведь есть еще и применяемая в серверных системах четырехранговая и восьмиранговая память, которые в эту классификацию не вписываются. Предлагаем разобраться в этом подробнее.

Термин «Ранг» (ранк, rank) обозначает одномоментную передачу по шине блока данных плотностью 64 бита (72 бита для серверной ECC-памяти). В простейшем понимании, одноранговый DIMM-модуль (1R) содержит в себе 64-битный фрагмент информации, которым он за один такт работы делится с процессором.

Максимальный объем однорангового модуля типа DDR4 — 8 ГБ, если память набиралась кристаллами по 1 ГБ. В этом случае, за основу можно было взять следующую константу:

Если на текстолите распаяно 16 ГБ по 8 кристаллов в 1 ГБ с двух сторон — это двухранговая память (2R).

В нынешнее время, современная память может быть набрана модулями, где кристаллы наслаиваются друг на друга, увеличивая емкость каждого вдвое.

Не так давно Samsung, Hynix, Micron и другие производители начали выпускать кристаллы повышенной плотности уже на 2 ГБ, поэтому емкость ОЗУ на кристаллах новой версии емкость 1R увеличилась до 16 ГБ.

Итого, в итоге имеем схему:

1 ранк = 8 ГБ (кристаллы «старой» версии по 1 ГБ);

1 ранк = 16 ГБ (кристаллы «новой» версии по 2 ГБ).

Память 4R встречается в продаже только в серверном сегменте. Визуально она выглядит так же, как и двухранговая, но при этом на одной стороне распаяно сразу два ранга (2 блока по 8 ГБ + кристалл коррекции ошибок). Программно модуль настроен таким образом, чтобы каждый из независимых блоков мог передавать по 72 бита информации за раз.

Аналогично для 8R-памяти, только она еще сложнее технически и программно.

В целом, принцип работы многоранговой памяти можно представить так:

В один момент времени работает только часть кристаллов — один ранк. А остальная «грядка» тем временем накапливает заряд и ищет внутри себя данные, чтобы отдать их процессору по шине.

Отличие одноранговой памяти от двухранговой на практике

На данный момент обойти лимит в 64 (72) бита за такт физически невозможно, поскольку так устроена работа стандарта DDR4. Но инженеры тоже не просто так едят свой хлеб, поэтому они додумались обойти ограничения довольно забавным способом: заставили чипы работать попеременно, фактически передавая 128 (144/288) бит вместо 64 (72).

Что это дает на практике? Разберем на примере сервера HPE ProLaint DL380 Gen10. Возьмем за основу тот факт, что в корпусе установлен один процессор Xeon Platinum 8ххх, поскольку у него самые широкие возможности. К тому же, чип поддерживает планки до 128 ГБ. Умножим это число на 12 (столько слотов ОЗУ выделено под процессор) и получим 1536 ГБ. Такого результата можно добить только с использованием 8R-планок с кристаллами по 2 ГБ.

Но тут стоит понимать, на серверной памяти DDR4 расположено 288 контактов, каждый из которых передает 1 бит данных. Если вдарить по всем потокам, ОС запестрит ошибками, поскольку больше 72 бит переварить не может. С 4R/8R-планками все еще сложнее: некоторые выдают только 36 бит вместо 72, и именуются Load-reduced Memory (LRDIMM), комплект с пониженной нагрузкой).

Т.е. вы получаете больший объем, но сниженную производительность. Тайминги у такой памяти ниже, задержка доступа — выше, частота работы не превышает 2933 МГц для Xeon Platinum, 2666 МГц для Gold, 2400 для Silver и 2133 для Bronze.

Также сервер не позволит использовать память с разной ранговостью. Если вставили модуль 2R, будьте добры добавлять такие же, иначе сильно потеряете в скорости и стабильности.

В защиту 2R/4R скажем следующее:

• Одна двухранговая планка быстрее двух одноранговых при идентичной частоте.
• ОЗУ 4R и 8R позволяют собрать на себе объем памяти, недостижимый для 1R/2R.
• Интеллектуальная система передачи пакетов в HPE Smart Memory оптимизирует работу, грамотно жонглируя ранками, увеличивая производительность до 23% и снижая задержки на 25% по сравнению с обычными модулями 2R-8R.
• При правильной настройке последовательности чтения ранговая память имеет преимущество над стандартной. Ранговое чередование обладает более низким приоритетом, чем канальное, поэтому по трем каналам на одной планке данные перетекут быстрее, чем по двум независимым модулям ОЗУ.

Но не забывайте, что полностью раскрыть потенциал многоранговой оперативной памяти можно только при правильно подобранном процессоре. Более подробную информацию вы сможете получить у консультантов компании Маркет.Марвел.

Какой ранг памяти лучше?

Выбирая, что лучше: одноранговая или двухранговая оперативная память, стоит опираться на частотные показатели и объем передаваемых данных. Двухранговая память с частотой 3000 МГц обгоняет по производительности одноранговый модуль при частоте в 3333 МГц.

Также владельцы двухранговой памяти получают следующие преимущества:

• выше частота чтения/записи в Гбит/с;
• меньше задержки работы в наносекундах.

Также двухранк, еще и в двух/четырех/шестиканале как нельзя кстати открывает себя в системах с интегрированной графикой, где GPU-модуль процессора черпает память напрямую из ОЗУ. Тут чем быстрее происходит шевеление информации — тем лучше.

Как узнать ранг оперативной памяти по маркировке?

Маркировка оперативной памяти разнится от производителя к производителю, но наиболее распространенными вариантами являются буквенные маркеры:

Q (Quadro) — четыре ранга памяти.

Также распространена маркировка формата 1Rх4, 2Rх8, 2Rх16, 4Rх4.

Первая часть — 1R, 2R, 4R, 8R — означает ранг.

А вторая х4, х8, х16 — то, сколько байтов за такт способен передавать каждый кристалл на планке.

Чтобы наработать скиллы по чтению маркировки, возьмем за пример память от HPE, поскольку она частенько встречается в серверном сегменте. У этого производителя маркировка планок памяти выглядит так:

• HPE — производитель.
• ggg (GB) — объем одного модуля от 8 до 128 ГБ.
• s (R) — ранки (1/2/4/8).
• ff — битность одного кристалла памяти (4/8/16).
• PC4 — тип памяти DDR4.
• wwww — максимальная рабочая частота в МГц (2133/2400/2666/2933/3200).
• a — тайминги и задержки.
• ppp — количество пакетов на одной подложке (SDP/DDP/3DS/QDP).
• m — тип модуля (ECC UDIMM, R-DIMM, LR-DIMM).
• eeeee — спецификация работы (STND/Smart/Blank).

Закрепляем результат следующими примерами:

• HPE 8GB 1Rx8 PC4-2933Y-R Smart Kit.
• HPE 64GB 4Rx4 DDR4-2666V LR Smart Kit.
• HPE 128GB 8Rx4 PC4-2933Y-L 3DS Smart Kit.

Остались вопросы? Задайте их нашим консультантам и получите исчерпывающий ответ. Мы готовы предложить вам наилучшее решение для вашего оборудования, которое позволит получить максимум производительности.